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国星三代半再出新品,新赛道加速赶超!

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共0条评论】【我要评论 时间:2022年1月11日

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创新赋能新征程,国星光电第三代半导体赛道再添“新猛将”!近日,公司最新推出了高品质的SiC模块及GaN器件新品,并对SiC功率分立器件进行了新升级,为第三代半导体产业发展注入新活力!

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SiC模块、GaN器件、SiC功率分立器件齐上新LED世界资讯网*x$s;U E-P dm0R3h


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SiC模块系列新品首发

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针对充电桩、UPS不间断电源等工业类领域,对标国内外行业龙头,国星光电最新推出的SiC功率模块产品包括有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS系列的封装,拓扑结构涵盖半桥、全桥、三相桥以及CIB,模块规格覆盖1200V电压等级,20A-80A的电流范围,可依据市场电路系统的输入输出要求和成本等因素的考量,选择不同拓扑结构的功率模块,并快速进行应用替换。

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GaN器件新品上线

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瞄准快充市场,国星光电最新推出E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN器件,BVds>650V,Rdson<150mΩ,性能稳定达到行业器件水平;器件可适用市面上100W以下的充电头的应用。LED世界资讯网1EYrd4e4[1R


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SiC功率分立器件全新升级

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国星光电对SiC功率分立器件产品进行优化升级,完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五种优势封装结构的开发。该产品以TO系列为主,目前已建立主流650V系列与1200V系列SiC MOSFET和SiC SBD两个产品系列,可应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域的电力转换装置。其中1200V 40A SiC MOSFET,Vth开启电压低于2.0V,Rdson开通损耗小于50mΩ。

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